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Pulvérisation cathodique pour machine PVD
Le principe de la technologie de pulvérisation cathodique réside dans la création d’une décharge luminescente entre deux électrodes. Cette décharge, réalisée au sein d’une atmosphère raréfiée donc sous vide, permet la création d’un plasma composé de particules chargées (électrons, ions, photons) et de neutres (atomes).
Le champ électrique engendré par la différence de potentiel induit un mouvement des particules chargées positivement qui sont attirées par la cathode (cible) et entrent en collision avec elle. Ce bombardement provoque la pulvérisation d’atomes ou d’agrégats d’atomes de la cible qui vont se condenser sur le substrat. A l’échelle macroscopique, on pourrait comparer ce phénomène physique à la casse au billard.
Afin d’avoir une efficacité au niveau du taux de pulvérisation, le gaz plasmagène communément utilisé pour cette technologie est l’argon. Sa masse atomique, sa neutralité (couche de valence complète), ainsi que son coût en font le candidat idéal.
Les étapes principales sont :
- Collision des ions incidents sur la cible qui aboutit à un transfert d’énergie cinétique et de quantité de mouvements.
- Emission d’atomes ou d’agrégats avec une énergie cinétique donnée qui se déposent sur le substrat et font croître un film mince de matériau cible.
Cette technologie couramment utilisée dans le milieu des couches minces comme le semiconducteur voit son nombre d’applications augmenter. En effet, étant une technologie propre, elle est une solution alternative réaliste et concrète aux traitements par voie humide.
La grande majorité de ce type de machines PVD utilise la technologie de pulvérisation cathodique magnétron.
Nous réalisons également des bâtis PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), étant à la limite des dépôts par voie chimique ou CVD (Chemical Vapor Deposition), technologie complémentaire.
Découvrez les machines que nous fabriquons reprenant cette technologie de pulvérisation cathodique.